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硅基光電子領(lǐng)域獲重大突破
2023年10月23日 16時28分   新華網(wǎng)

北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍教授、彭超教授、舒浩文研究員聯(lián)合團(tuán)隊在超高速純硅調(diào)制器方面取得突破,實現(xiàn)了全球首個電光帶寬達(dá)110GHz的純硅調(diào)制器。這是自2004年英特爾在《自然》期刊報道第一個1GHz硅調(diào)制器后,國際上首次把純硅調(diào)制器帶寬提高到100GHz以上。日前,相關(guān)研究成果以《110GHz帶寬慢光硅調(diào)制器》為題在線發(fā)表于《科學(xué)·進(jìn)展》。

“該純硅調(diào)制器同時具有超高帶寬、超小尺寸、超大通帶及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成工藝兼容等優(yōu)勢,滿足了未來超高速應(yīng)用場景對超高速率、高集成度、多波長通信、高熱穩(wěn)定性及晶圓級生產(chǎn)等需求,是硅基光電子領(lǐng)域的重大突破,為高速、短距離數(shù)據(jù)中心和光通信的應(yīng)用提供了重要關(guān)鍵技術(shù)支撐,對于下一代數(shù)據(jù)中心的發(fā)展意義重大?!蓖跖d軍介紹。

“隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等新一代信息技術(shù)的大規(guī)模應(yīng)用,全球數(shù)據(jù)總量呈指數(shù)式增長,以硅基光電子為代表的光電子集成技術(shù)成為光通信系統(tǒng)的重要發(fā)展趨勢。在硅基光電子芯片系統(tǒng)中,硅基調(diào)制器可以實現(xiàn)電信號向光信號的功能轉(zhuǎn)換,具有低成本、高集成度、CMOS集成工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),是完成片上信息傳輸與處理的關(guān)鍵有源器件?!蓖跖d軍表示,但受限于硅材料本身較慢的載流子輸運(yùn)速率,純硅調(diào)制器帶寬典型值一般為30至40GHz,難以適應(yīng)未來超過100Gbaud通信速率的需要,因而也成為硅基光電子學(xué)在高速領(lǐng)域發(fā)展的瓶頸之一。

在本次工作中,研究團(tuán)隊針對傳統(tǒng)硅基調(diào)制器帶寬受限問題,利用硅基耦合諧振腔光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)引入慢光效應(yīng),構(gòu)建了完整的硅基慢光調(diào)制器理論模型,通過合理調(diào)控結(jié)構(gòu)參數(shù)以綜合平衡光學(xué)與電學(xué)指標(biāo)因素,實現(xiàn)對調(diào)制器性能的深度優(yōu)化。研究團(tuán)隊基于CMOS集成工藝兼容的硅基光電子標(biāo)準(zhǔn)工藝,在純硅材料體系下設(shè)計并制備了在1550納米左右通信波長下工作的超高帶寬硅基慢光調(diào)制器,實現(xiàn)了110GHz的超高電光帶寬,打破了迄今為止純硅調(diào)制器的帶寬上限,并同時將調(diào)制臂尺寸縮短至百微米數(shù)量級,在無須數(shù)字信號處理的情況下以簡單的二進(jìn)制振幅鍵控調(diào)制格式實現(xiàn)了單通道超過110Gbps的高速信號傳輸,降低了算法成本與信號延遲,同時在寬達(dá)8納米的超大光學(xué)通帶內(nèi)保持多波長通信性能的高度均一性。

“研究團(tuán)隊在不引入異質(zhì)材料與復(fù)雜工藝的前提下,實現(xiàn)了硅基調(diào)制器帶寬性能的飛躍,未來還可實現(xiàn)低成本晶圓級的量產(chǎn),展示了硅基光電子學(xué)在下一代超高速應(yīng)用領(lǐng)域的巨大價值?!蓖跖d軍說。(晉浩天)

(責(zé)任編輯:蔡文斌)

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