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光操控反鐵磁材料實現磁態(tài)轉換
2024年12月23日 10時04分   人民網

科技日報北京12月22日電 (記者張佳欣)反鐵磁材料在信息處理與內存芯片技術領域具有廣泛應用前景。據最新一期《自然》雜志,美國麻省理工學院科研團隊僅使用光就在反鐵磁材料中實現了磁態(tài)轉換,創(chuàng)造出一種新型且持久的磁態(tài)。這一技術為研究人員提供了控制磁性的強大工具,有助于設計更快、更小、更節(jié)能的內存芯片。

反鐵磁體由自旋方向交替的原子組成,每個原子的自旋方向都與其相鄰原子的自旋方向相反。這種上、下、上、下的順序基本抵消了自旋,使反鐵磁體總磁化強度為零,從而不受任何磁力影響。

如果能用反鐵磁材料制成內存芯片,就可將數據“寫入”材料的微觀區(qū)域,即磁疇。在給定磁疇中,自旋方向的某種配置(例如,上—下)代表經典的比特“0”,而另一種配置(下—上)則代表“1”。在這樣的芯片上寫入數據,能抵御外部磁場的干擾。

由于磁疇的穩(wěn)定性,反鐵磁體可整合到未來的內存芯片中,使這些芯片能耗更少、占用空間更小,同時存儲和處理的數據更多。然而,將反鐵磁材料應用于存儲技術的一個主要障礙在于,如何以可靠方式控制反鐵磁體,使其從一種磁態(tài)轉換到另一種磁態(tài)。

此次,團隊使用太赫茲激光器直接刺激反鐵磁材料中的原子。激光器的振蕩頻率被調至與材料原子間的自然振動相匹配,從而改變原子自旋的平衡,使其向一種新的磁態(tài)轉變。

所用材料為FePS3——一種在臨界溫度(約118K)時轉變?yōu)榉磋F磁相的材料。他們將合成的FePS3樣品置于真空室中,冷卻至118K及以下溫度。然后,他們讓一束近紅外光穿過有機晶體,將光轉換為太赫茲頻率,從而產生太赫茲脈沖。之后,他們將這束太赫茲光對準樣品。

在多次重復實驗中,團隊觀察到,太赫茲脈沖成功地將原本為反鐵磁性的材料切換到了一個新的磁態(tài)。這一轉變出乎意料地持久,甚至在激光關閉后仍能持續(xù)數毫秒。

【總編輯圈點】

與傳統磁性材料相比,新型磁性材料往往具備更卓越的磁性能,如更高的磁導率、更低的損耗等。它們?yōu)殡娮釉骷I域注入了新的活力與無限可能。例如,我們的手機變焦鏡頭通過微型電機來運轉,這種電機里就有數顆米粒大小的稀土永磁材料。在磁存儲領域,上述研究中的反鐵磁材料則有望改善存儲芯片的設計。不斷涌現的新型磁性材料,正推動電子元器件朝更小尺寸、更高性能、更低功耗方向升級,為各類電子設備持續(xù)迭代提供重要支撐。

(責任編輯:蔡文斌)

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