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我團(tuán)隊(duì)在高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長技術(shù)領(lǐng)域獲突破
2025年03月17日 09時(shí)18分   人民網(wǎng)

科技日?qǐng)?bào)訊 (記者魏依晨)3月15日,由中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)主持、寧夏超導(dǎo)泛科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“寧夏超導(dǎo)泛科技”)牽頭組織的“高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會(huì)”在寧夏銀川市舉辦。

據(jù)悉,寧夏超導(dǎo)泛科技成立于2024年12月,由寧夏盈谷實(shí)業(yè)股份有限公司、江西聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)技術(shù)有限公司等多家企業(yè)和自然人聯(lián)合投資設(shè)立。

鑒定會(huì)上,由中國科學(xué)院院士甘子釗領(lǐng)銜的專家委員會(huì)對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行了全面評(píng)估。專家一致認(rèn)為,該技術(shù)填補(bǔ)了我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項(xiàng)空白,綜合性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

據(jù)介紹,高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用的關(guān)鍵,在于引入高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)。科研團(tuán)隊(duì)針對(duì)高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長技術(shù)瓶頸,研制出高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備,形成大尺寸硅單晶長棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長工藝,實(shí)現(xiàn)大尺寸(12英寸以上)高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn),經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益顯著。

根據(jù)項(xiàng)目報(bào)告顯示,寧夏超導(dǎo)泛科技自主研發(fā)的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長設(shè)備及技術(shù),可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma(質(zhì)量百萬分比)以下,硅棒頭尾利用率提升4%以上,生產(chǎn)效率提升12%,目前已拉出直徑達(dá)340毫米的高品質(zhì)硅棒。

甘子釗院士在評(píng)審中表示:“這是國際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長,為高溫超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化做了很多開創(chuàng)性的工作,開辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新賽道?!彼貏e提到,該技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)具有戰(zhàn)略意義。

專家委員會(huì)認(rèn)為,該項(xiàng)目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長爐高溫度均勻性節(jié)能型熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、模塊化大尺寸傳導(dǎo)冷卻高溫超導(dǎo)磁體設(shè)計(jì)、電—磁—熱—流體多場(chǎng)耦合下硅單晶生長分析與控制等關(guān)鍵技術(shù)難題,取得多項(xiàng)創(chuàng)新性技術(shù)成果??蒲袌F(tuán)隊(duì)研制的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備,在生產(chǎn)實(shí)踐中得到了應(yīng)用,這表明該項(xiàng)目總體技術(shù)水平已達(dá)國際領(lǐng)先。

(責(zé)任編輯:蔡文斌)

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